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Infineon
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產品參考圖片
BSB028N06NN3 G 圖片
  • 制造廠商:英飛凌
  • 類別封裝:單端場效應管,MG-WDSON-2
  • 技術參數:MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
  • 豐富的英飛凌公司產品,英飛凌芯片采購平臺
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BSB028N06NN3 G 技術參數詳情:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:BSB028N06NN3 G
  • 制造商:Infineon Technologies(英飛凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):60V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):22A(Ta),90A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.8 毫歐 @ 30A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 102μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):143nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):12000pF @ 30V
  • 功率 - 最大值:78W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:3-WDSON
  • 供應商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M
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