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- 制造廠商：英飛凌
- 類別封裝：場效應管陣列，PG-SOT363-6
- 技術參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
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2N7002DW H6327 技術參數(shù)詳情：
- Infineon英飛凌公司完整型號：2N7002DW H6327
- 制造商：Infineon Technologies（英飛凌）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
- 系列：OptiMOS?
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：300mA
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：0.6nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：20pF @ 25V
- 功率 - 最大值：500mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
- 供應商器件封裝：PG-SOT363-6
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