產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：E2
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 52A 225W E2
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MUBW35-12E7 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MUBW35-12E7
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 52A 225W E2
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：NPT
- 配置：三相反相器，帶制動器
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：52A
- 功率-最大值：225W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，35A
- 電流-集電極截止（最大值）：400μA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：2nF @ 25V
- 輸入：三相橋式整流器
- NTC熱敏電阻：是
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：E2
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