產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：24-PowerSMD，21 引線
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH
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MMIX1G320N60B3 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MMIX1G320N60B3
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：MOSFET N-CH
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：GenX3?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：400A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：1000A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 15V，100A
- 功率-最大值：1000W
- 開關能量：2.7mJ（開），5mJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：585nC
- 25°C時Td（開/關）值：44ns/250ns
- 測試條件：480V，100A，1 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：66ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：24-PowerSMD，21 引線
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