產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：Y3-DCB
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB
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MII200-12A4 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MII200-12A4
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：NPT
- 配置：半橋
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：270A
- 功率-最大值：1130W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，150A
- 電流-集電極截止（最大值）：10mA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：11nF @ 25V
- 輸入：標(biāo)準(zhǔn)
- NTC熱敏電阻：無
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：Y3-DCB
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