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IXYS
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MIEB101H1200EH 圖片
  • 制造廠商:IXYS
  • 類別封裝:晶體管 - IGBT - 模塊,封裝:E3
  • 技術參數:IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
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MIEB101H1200EH 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:MIEB101H1200EH
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導體收購)
  • 描述:IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
  • 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
  • 零件狀態:有源
  • IGBT類型:-
  • 配置:全橋反相器
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):183A
  • 功率-最大值:630W
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,100A
  • 電流-集電極截止(最大值):300μA
  • 不同?Vce時輸入電容(Cies):7.43nF @ 25V
  • 輸入:標準
  • NTC熱敏電阻:無
  • 工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安裝類型:底座安裝
  • 封裝:E3
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