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IXYS

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MIEB100W1200TEH 圖片

MIEB100W1200TEH

制造廠商：IXYS
類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：E3
技術參數：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
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MIEB100W1200TEH 技術參數詳情：

制造商產品型號：MIEB100W1200TEH
制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
描述：IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
系列：晶體管 - IGBT - 模塊
零件狀態：有源
IGBT類型：-
配置：三相反相器
電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
電流-集電極(Ic)（最大值）：183A
功率-最大值：630W
不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，100A
電流-集電極截止（最大值）：300μA
不同?Vce時輸入電容(Cies)：7.43nF @ 25V
輸入：標準
NTC熱敏電阻：是
工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安裝類型：底座安裝
封裝：E3
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