產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：9-PowerSMD
- 技術(shù)參數(shù)：MCB30P1200LB-TRR
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺
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MCB30P1200LB-TRR 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MCB30P1200LB-TRR
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：MCB30P1200LB-TRR
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：MCB30P1200LB
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：4 N 溝道（半橋）
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：1200V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：-
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：-
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：-
- 工作溫度：-
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：9-PowerSMD
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