產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-220-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 650V 18A 50W TO220
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺
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IXYP20N65C3D1M 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXYP20N65C3D1M
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：IGBT 650V 18A 50W TO220
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：GenX3?, XPT?
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：18A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：105A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，20A
- 功率-最大值：50W
- 開關(guān)能量：430μJ（開），350μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：30nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：19ns/80ns
- 測試條件：400V，20A，20 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：30ns
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-220-3
- IXYP20N65C3D1M優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購服務(wù)平臺。
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