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- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：單端場效應管，TO-263
- 技術參數：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
- 豐富的IXYS公司產品，IXYS芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
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IXTA3N120TRL 技術參數詳情：
- IXYS公司完整型號：IXTA3N120TRL
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：3A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.5 歐姆 @ 1.5A, 10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：42nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1350pF @ 25V
- 功率 - 最大值：200W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商器件封裝：TO-263 （IXTA）
- IXTA3N120TRL優勢代理貨源，國內領先的IXYS芯片采購服務平臺。
