產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-263HV
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺
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IXTA08N100D2HV 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXTA08N100D2HV
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：1000V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：800mA（Tj）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：0V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：21 歐姆 @ 400mA，0V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 25μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：14.6nC @ 5V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：325pF @ 25V
- FET功能：耗盡模式
- 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：TO-263HV
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