產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 35A 190W TO3P
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購(gòu)平臺(tái)
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IXSQ20N60B2D1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IXSQ20N60B2D1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購(gòu)）
- 描述：IGBT 600V 35A 190W TO3P
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：35A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：-
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，16A
- 功率-最大值：190W
- 開(kāi)關(guān)能量：380μJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：33nC
- 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：30ns/116ns
- 測(cè)試條件：-
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：30ns
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- IXSQ20N60B2D1優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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