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IXYS
熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
IXGT30N60C2D1 圖片
  • 制造廠商:IXYS
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
  • 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 70A 190W TO268
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IXGT30N60C2D1 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IXGT30N60C2D1
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購)
  • 描述:IGBT 600V 70A 190W TO268
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:HiPerFAST?
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • IGBT類型:PT
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):70A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):150A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,24A
  • 功率-最大值:190W
  • 開關(guān)能量:190μJ(關(guān))
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:70nC
  • 25°C時Td(開/關(guān))值:13ns/70ns
  • 測試條件:400V,24A,5 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時間(trr):25ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
  • IXGT30N60C2D1優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購服務(wù)平臺。
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