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- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：SOT-227B
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
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IXFN26N120P 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產品型號：IXFN26N120P
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：Polar?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：1200V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：23A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：460 毫歐 @ 13A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：6.5V @ 1mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：225nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：14000pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：695W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 器件封裝：SOT-227B
- IXFN26N120P優(yōu)勢代理貨源，國內領先的IXYS芯片采購服務平臺。
