產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：SOT-227B
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
IXFN100N10S1 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IXFN100N10S1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：HiPerFET?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：100A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：15 毫歐 @ 500mA，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 4mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：180nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：4500pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：360W（Tc）
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 器件封裝：SOT-227B
- IXFN100N10S1優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IXYS代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺(tái)