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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
IXYS
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
IXFA3N120TRL 圖片
  • 制造廠商:IXYS
  • 類別封裝:FET - 單,TO-263-3,D2Pak
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  • 豐富的IXYS公司產(chǎn)品,IXYS芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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確保正品,國(guó)內(nèi)現(xiàn)貨,合理價(jià)格
IXFA3N120TRL 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • IXYS公司完整型號(hào): IXFA3N120TRL
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購(gòu))
  • 功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  • 系列: HiPerFET?
  • FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓(Vdss): 1200V(1.2kV)
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 3A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 4.5 歐姆 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 39nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 1050pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 200W
  • 安裝類型: 表面貼裝
  • 封裝/外殼: TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
  • 供應(yīng)商器件封裝: TO-263
  • IXFA3N120TRL優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IXYS芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IXYS代理的現(xiàn)貨資源,輕松采購(gòu)IC芯片,是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)
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