產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 3600V 70A TO-268HV
- 豐富的IXYS公司產(chǎn)品，IXYS芯片采購平臺
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IXBT20N360HV 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IXBT20N360HV
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導(dǎo)體收購）
- 描述：IGBT 3600V 70A TO-268HV
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：BIMOSFET?
- 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：3600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：70A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：220A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：3.4V @ 15V，20A
- 功率-最大值：430W
- 開關(guān)能量：15.5mJ（開），4.3mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：110nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：18ns/238ns
- 測試條件：1500V，20A，10 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時間(trr)：1.7μs
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
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