產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：ISSI
- 類別封裝：存儲器，產(chǎn)品封裝：54-TSOP（0.400，10.16mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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IS42S81600E-6TLI-TR 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IS42S81600E-6TLI-TR
- 制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
- 產(chǎn)品系列：存儲器
- 包裝：卷帶（TR）
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- 存儲器類型：易失
- 存儲器格式：DRAM
- 技術(shù)：SDRAM
- 存儲容量：128Mb（16M x 8）
- 存儲器接口：并聯(lián)
- 時鐘頻率：166MHz
- 寫周期時間-字，頁：-
- 訪問時間：5.4ns
- 電壓-供電：3V ~ 3.6V
- 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：54-TSOP（0.400，10.16mm 寬）
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