產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：單端場效應管，TO-262
- 技術參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
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IRFSL59N10D 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IRFSL59N10D
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
- 系列：HEXFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：100V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：59A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：25 毫歐 @ 35.4A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：114nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2450pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 產(chǎn)品封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應商器件封裝：TO-262
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