產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，TO-262
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
- 豐富的IR公司產(chǎn)品，IR芯片采購平臺
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IRFSL17N20DPBF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IRFSL17N20DPBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET N-CH 200V 16A TO-262
- 系列：HEXFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：200V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：16A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：170 毫歐 @ 9.8A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：50nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1100pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 產(chǎn)品封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-262
- IRFSL17N20DPBF優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的IR芯片采購服務(wù)平臺。
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