產品參考圖片
- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：場效應管陣列，8-PQFN
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
- 豐富的IR公司產品，IR芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術文檔
IRFHM8363TR2PBF 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：IRFHM8363TR2PBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
- 系列：HEXFET
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：11A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：14.9 毫歐 @ 10A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1165pF @ 10V
- 功率 - 最大值：2.7W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產品封裝：8-PowerVDFN
- 供應商器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3）， Power33
- IRFHM8363TR2PBF優勢代理貨源，國內領先的IR芯片采購服務平臺。
