- 制造廠商:IR(國際整流器)
- 類別封裝:單端場效應管,PQFN
- 技術參數(shù):MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
- 豐富的IR公司產(chǎn)品,IR芯片采購平臺
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IRFH4209DTRPBF 技術參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號:IRFH4209DTRPBF
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購)
- 描述:MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
- 系列:FASTIRFET
- FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET 功能:邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss):25V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):44A(Ta),260A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.1 毫歐 @ 50A, 10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 100μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):74nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):4620pF @ 13V
- 功率 - 最大值:3.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝:8-PowerTDFN
- 供應商器件封裝:PQFN(5x6)
- IRFH4209DTRPBF優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領先的IR芯片采購服務平臺。
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