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IR
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產品參考圖片
IRF8910GPBF 圖片
  • 制造廠商:IR(國際整流器)
  • 類別封裝:場效應管陣列,8-SO
  • 技術參數:MOSFET 2N-CH 20V 10A SO-8
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IRF8910GPBF 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:IRF8910GPBF
  • 制造商:IR(International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A SO-8
  • 系列:HEXFET
  • FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):10A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):13.4 毫歐 @ 10A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.55V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):11nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):960pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商器件封裝:8-SO
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