產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：場效應管陣列，8-SO
- 技術參數(shù)：MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
- 豐富的IR公司產(chǎn)品，IR芯片采購平臺
- 提供當日發(fā)貨、嚴格的質(zhì)量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術文檔
IRF7910TRPBF 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IRF7910TRPBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
- 系列：HEXFET
- FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：12V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：10A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：15 毫歐 @ 8A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：26nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1730pF @ 6V
- 功率 - 最大值：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商器件封裝：8-SO
- IRF7910TRPBF優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領先的IR芯片采購服務平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權IR代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺