產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國(guó)際整流器）
- 類別封裝：FET - 單，8-SOIC
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 5.1A
- 豐富的IR公司產(chǎn)品，IR芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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IRF7341GTRPBF 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào): IRF7341GTRPBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購(gòu)）
- 功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N-CH 55V 5.1A
- 系列: HEXFET
- FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓（Vdss）: 55V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 5.1A（Ta）
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 50 毫歐 @ 5.1A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA（最小）
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 44nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 780pF @ 25V
- 功率 - 最大值: 2.4W
- 安裝類型: 表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝: 8-SO
- IRF7341GTRPBF優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IR芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)IR代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)