產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，8-SO
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- 豐富的IR公司產(chǎn)品，IR芯片采購平臺
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IRF5803D2 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：IRF5803D2
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 描述：MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
- 系列：FETKY?
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：二極管（隔離式）
- 漏源極電壓 (Vdss)：40V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：3.4A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：112 毫歐 @ 3.4A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：37nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1110pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：8-SO
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