產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IR（國際整流器）
- 類別封裝：FET - 單，TO-220-3
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
- 豐富的IR公司產(chǎn)品，IR芯片采購平臺
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IRF200B211 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號: IRF200B211
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飛凌INFINEON收購）
- 功能總體簡述: MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
- 系列: HEXFET，StrongIRFET
- FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓（Vdss）: 200V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 12A（Tc）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 170 毫歐 @ 7.2A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4.9V @ 50μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 23nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 790pF @ 50V
- 功率 - 最大值: 80W
- 安裝類型: 通孔
- 產(chǎn)品封裝: TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝: TO-220AB
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