產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：GeneSiC
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 1200V SOT247
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GA35XCP12-247 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：GA35XCP12-247
- 制造商：GeneSiC Semiconductor
- 描述：IGBT 1200V SOT247
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：PT
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：-
- 電流-集電極脈沖(Icm)：35A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：3V @ 15V，35A
- 功率-最大值：-
- 開關(guān)能量：2.66mJ（開），4.35mJ（關(guān)）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：50nC
- 25°C時Td（開/關(guān)）值：-
- 測試條件：800V，35A，22歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：36ns
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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