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- 制造廠商：GeneSiC
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-247-3
- 技術參數：SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
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G2R1000MT17D 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：G2R1000MT17D
- 制造商：GeneSiC Semiconductor
- 描述：SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：G2R?
- 零件狀態：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：SiCFET（碳化硅）
- 漏源電壓（Vdss）：1700V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：4A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.2 歐姆 @ 2A，20V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 2mA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：27nC @ 15V
- Vgs（最大值）：+20V，-5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：139pF @ 1000V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：53W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 器件封裝：TO-247-3
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