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GeneSiC
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G2R1000MT17D 圖片
  • 制造廠商:GeneSiC
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-247-3
  • 技術參數:SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
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G2R1000MT17D 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:G2R1000MT17D
  • 制造商:GeneSiC Semiconductor
  • 描述:SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:G2R?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:SiCFET(碳化硅)
  • 漏源電壓(Vdss):1700V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):4A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):20V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):1.2 歐姆 @ 2A,20V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 2mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):27nC @ 15V
  • Vgs(最大值):+20V,-5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):139pF @ 1000V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):53W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:TO-247-3
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