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- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單端場效應管，TO-252-3
- 技術參數：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
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RFD12N06RLESM9A 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：RFD12N06RLESM9A
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
- 系列：UltraFET?
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：18A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：63 毫歐 @ 18A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：15nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：485pF @ 25V
- 功率 - 最大值：49W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產品封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商器件封裝：TO-252-3
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