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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
Fairchild
熱門產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
RFD12N06RLESM9A 圖片
  • 制造廠商:仙童
  • 類別封裝:單端場(chǎng)效應(yīng)管,TO-252-3
  • 技術(shù)參數(shù):MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  • 豐富的仙童公司產(chǎn)品,仙童芯片采購(gòu)平臺(tái)
  • 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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RFD12N06RLESM9A 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):RFD12N06RLESM9A
  • 制造商:Fairchild 仙童半導(dǎo)體(已被ONSEMI安森美收購(gòu))
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  • 系列:UltraFET?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):18A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):63 毫歐 @ 18A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):15nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):485pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:49W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-3
  • RFD12N06RLESM9A優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的仙童芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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