產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：FET - 單，*
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 150V
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FDS86267P 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號: FDS86267P
- 制造商：Fairchild 仙童半導(dǎo)體（已被ONSEMI安森美收購）
- 功能總體簡述: MOSFET P-CH 150V
- 系列: PowerTrench
- FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓（Vdss）: 150V
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）: 2.2A（Ta）
- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）: 255 毫歐 @ 2.2A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）: 16nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）: 1130pF @ 75V
- 功率 - 最大值: 1W
- 安裝類型: *
- 產(chǎn)品封裝: *
- 供應(yīng)商器件封裝: *
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