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Fairchild
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FDN352AP 圖片
  • 制造廠商:仙童
  • 類別封裝:單端場效應管,3-SSOT
  • 技術參數:MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
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FDN352AP 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:FDN352AP
  • 制造商:Fairchild 仙童半導體(已被ONSEMI安森美收購)
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
  • 系列:PowerTrench
  • FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):30V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):1.3A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):180 毫歐 @ 1.3A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):1.9nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):150pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:460mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 產品封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商器件封裝:3-SSOT
  • FDN352AP優勢代理貨源,國內領先的仙童芯片采購服務平臺。
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