產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，6-MicroFET
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
- 豐富的仙童公司產(chǎn)品，仙童芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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FDMA291P 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FDMA291P
- 制造商：Fairchild 仙童半導(dǎo)體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
- 系列：PowerTrench
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動(dòng)
- 漏源極電壓 (Vdss)：20V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：6.6A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：42 毫歐 @ 6.6A，4.5V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：14nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1000pF @ 10V
- 功率 - 最大值：900mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：6-WDFN
- 供應(yīng)商器件封裝：6-MicroFET（2x2）
- FDMA291P優(yōu)勢(shì)代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的仙童芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
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