產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：場效應管陣列，TO-252-4L
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
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FDD3510H 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：FDD3510H
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
- 系列：PowerTrench
- FET 類型：N 和 P 溝道
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：80V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：4.3A，2.8A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：80 毫歐 @ 4.3A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：18nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：800pF @ 40V
- 功率 - 最大值：1.3W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產(chǎn)品封裝：TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD
- 供應商器件封裝：TO-252-4L
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