產品參考圖片
- 制造廠商：仙童
- 類別封裝：單端場效應管，TO-263AB
- 技術參數：MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
- 豐富的仙童公司產品，仙童芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術文檔
FDB10AN06A0 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：FDB10AN06A0
- 制造商：Fairchild 仙童半導體（已被ONSEMI安森美收購）
- 描述：MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
- 系列：PowerTrench
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：60V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：12A（Ta），75A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：10.5 毫歐 @ 75A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：37nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1840pF @ 25V
- 功率 - 最大值：135W
- 安裝類型：表面貼裝
- 產品封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商器件封裝：TO-263AB
- FDB10AN06A0優勢代理貨源，國內領先的仙童芯片采購服務平臺。
芯片采購網專注整合國內外授權Fairchild代理的現貨資源，輕松采購IC芯片，是國內專業的芯片采購平臺