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- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個，封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技術參數：PWR LOW TRANSISTOR SOT23
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ZXTN2018FQTA 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：ZXTN2018FQTA
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導體）
- 描述：PWR LOW TRANSISTOR SOT23
- 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 產品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態：有源
- 晶體管類型：NPN
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：5A
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：60V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：210mV @ 300mA，6A
- 電流-集電極截止（最大值）：100nA
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：100 @ 2A，1V
- 功率-最大值：1W
- 頻率-躍遷：130MHz
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- ZXTN2018FQTA優勢代理貨源，國內領先的Diodes芯片采購服務平臺。
