產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列，封裝：-
- 技術(shù)參數(shù)：PWR TRANSISTOR POWERDI3333-8
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ZXTN08400BNS-7 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：ZXTN08400BNS-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導(dǎo)體）
- 描述：PWR TRANSISTOR POWERDI3333-8
- 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 陣列
- 零件狀態(tài)：有源
- 晶體管類型：2 NPN（雙）
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：500mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：400V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：175 @ 100mA，500mA
- 電流-集電極截止（最大值）：50nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：10 @ 500mA，5V
- 功率-最大值：830mW
- 頻率-躍遷：40MHz
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：-
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