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Diodes
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ZXMN10A08G 圖片
  • 制造廠商:Diodes(美臺)
  • 類別封裝:單端場效應管,SOT-223
  • 技術參數:MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
  • 豐富的Diodes公司產品,Diodes芯片采購平臺
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ZXMN10A08G 技術參數詳情:
  • Diodes公司完整型號:ZXMN10A08G
  • 制造商:Diodes Incorporated(美臺半導體)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):100V
  • 電流 - 連續漏極 (Id)(25°C 時):2A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):250 毫歐 @ 3.2A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):7.7nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):405pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
  • 供應商器件封裝:SOT-223
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