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- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術參數：MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
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ZXMHC10A07N8TC 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：ZXMHC10A07N8TC
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導體）
- 描述：MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- FET類型：2 個 N 通道和 2 個 P 通道（H 橋）
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：800mA，680mA
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：700 毫歐 @ 1.5A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2.9nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：138pF @ 60V
- 功率-最大值：870mW
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- ZXMHC10A07N8TC優勢代理貨源，國內領先的Diodes芯片采購服務平臺。
