產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻，封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技術(shù)參數(shù)：RF TRANSISTOR SOT23
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MMBTH10Q-7-F 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MMBTH10Q-7-F
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導(dǎo)體）
- 描述：RF TRANSISTOR SOT23
- 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 零件狀態(tài)：有源
- 晶體管類型：NPN
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：25V
- 頻率-躍遷：650MHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同f時的典型值）：-
- 增益：-
- 功率-最大值：310mW
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：60 @ 4mA，10V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：50mA
- 工作溫度：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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