產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個，封裝：PowerDI? 5
- 技術(shù)參數(shù)：PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5
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DXT2011P5Q-13 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：DXT2011P5Q-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導體）
- 描述：PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5
- 系列：晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- 晶體管類型：NPN
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：6A
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：100V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：220mV @ 500mA，5A
- 電流-集電極截止（最大值）：20nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：100 @ 2A，2V
- 功率-最大值：3.2W
- 頻率-躍遷：130MHz
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：PowerDI? 5
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