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Diodes
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DMT6018LDR-7 圖片
  • 制造廠商:Diodes(美臺)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerVDFN
  • 技術參數:MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-
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DMT6018LDR-7 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:DMT6018LDR-7
  • 制造商:Diodes Incorporated(美臺半導體)
  • 描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030-
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:標準
  • 漏源電壓(Vdss):60V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):8.8A(Ta)
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):17 毫歐 @ 8.2A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):13.9nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):869pF @ 30V
  • 功率-最大值:1.9W
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-PowerVDFN
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