產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerVDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
- 豐富的Diodes公司產(chǎn)品，Diodes芯片采購平臺
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DMT6018LDR-13 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：DMT6018LDR-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：8.8A（Ta）
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：17 毫歐 @ 8.2A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：13.9nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：869pF @ 30V
- 功率-最大值：1.9W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerVDFN
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