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- 制造廠商:Diodes(美臺)
- 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:PowerDI3333-8(SWP)UX 類
- 技術參數(shù):MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
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DMT3009UFVW-7 技術參數(shù)詳情:
- 制造商產品型號:DMT3009UFVW-7
- 制造商:Diodes Incorporated(美臺半導體)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
- 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
- 產品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- FET類型:N 通道
- 技術:MOSFET(金屬氧化物)
- 漏源電壓(Vdss):30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):10.6A(Ta),30A
- 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):11 毫歐 @ 11A,10V
- 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):7.4nC @ 10V
- Vgs(最大值):±12V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):894pF @ 15V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):1.2W(Ta),2.6W(Tc)
- 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:表面貼裝型
- 器件封裝:PowerDI3333-8(SWP)UX 類
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