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- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：單端場效應管，PowerDI3333-8
- 技術參數：MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
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DMN3029LFG-13 技術參數詳情：
- Diodes公司完整型號：DMN3029LFG-13
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導體）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平門
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：5.3A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：18.6 毫歐 @ 10A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：11.3nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：580pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-PowerVDFN
- 供應商器件封裝：PowerDI3333-8
- DMN3029LFG-13優勢代理貨源，國內領先的Diodes芯片采購服務平臺。
