產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerLDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
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DMN3012LDG-7 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：DMN3012LDG-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導體）
- 描述：MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：10A（Ta），20A（Tc）
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：12 毫歐 @ 15A，5V，6 毫歐 @ 15A，5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA，1.15V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：850pF @ 15V，1480pF @ 15V
- 功率-最大值：2.2W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerLDFN
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