產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺(tái)）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：X2-DFN1006-3
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
- 豐富的Diodes公司產(chǎn)品，Diodes芯片采購(gòu)平臺(tái)
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DMN26D0UFB4-7 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：DMN26D0UFB4-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺(tái)半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：230mA（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3 歐姆 @ 100mA，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：±10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：14.1pF @ 15V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：350mW（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：X2-DFN1006-3
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