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Diodes
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DMN10H170SVT-13 圖片
  • 制造廠商：Diodes（美臺）
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TSOT-26
  • 技術參數：MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
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DMN10H170SVT-13 技術參數詳情：
  • 制造商產品型號：DMN10H170SVT-13
  • 制造商：Diodes Incorporated（美臺半導體）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：-
  • 零件狀態：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：100V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：2.6A（Ta）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：160 毫歐 @ 5A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：9.7nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1167pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.2W（Ta）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：TSOT-26
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