產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺(tái)）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：U-DFN2020-6（E 類）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
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DMN1019UFDE-7 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：DMN1019UFDE-7
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺(tái)半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：12V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：11A（Ta）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.2V，4.5V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：10 毫歐 @ 9.7A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：800mV @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：50.6nC @ 8V
- Vgs（最大值）：±8V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：2425pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：690mW（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：U-DFN2020-6（E 類）
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