產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Diodes（美臺(tái)）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：TO-251
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
- 豐富的Diodes公司產(chǎn)品，Diodes芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
DMG7N65SJ3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：DMG7N65SJ3
- 制造商：Diodes Incorporated（美臺(tái)半導(dǎo)體）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 5.5A TO251
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：650V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：5.5A（Tc）
- 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.4 歐姆 @ 2.5A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：25nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：886pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 器件封裝：TO-251
- DMG7N65SJ3優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的Diodes芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)Diodes代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺(tái)